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本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延结构层及其制备方法和LED芯片。外延结构层，包括依次设置于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层靠近衬底；第一缓冲层掺杂有...
该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。

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