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本发明公开了一种基于SOI的波导布拉格光栅葡萄糖传感器，包括硅衬底、在衬底上面的二氧化硅下包层、在二氧化硅下包层上生长具有一定厚度的单晶硅薄膜以及在单晶硅薄膜上包覆的上包层，其特征在于，制作时在单晶硅薄膜上蚀刻波导布拉格光栅，之后加工上包层...
该专利属于天津工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津工业大学授权不得商用。

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