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提供了一种蚀刻方法，该蚀刻方法能够改善在半导体装置中加工接触孔时由蚀刻引起的缺陷。该蚀刻方法包括：通过使用第一气体的等离子体将第一聚合膜接合至绝缘膜上，该绝缘膜设置在包含硅的半导体层上；使用第二气体的等离子体，在移除第一聚合膜的同时，通过氧...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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