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一种沟槽栅IGBT结构制造技术
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文档序号:34663483
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本实用新型提供了一种可以降低失效率的沟槽栅IGBT的结构,包括集电极金属,在集电极金属上依次设置有P
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该专利属于成都稳海半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都稳海半导体有限公司授权不得商用。
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