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本发明提供一种硅衬底GaN基LED外延片及其制备方法，外延片包括硅衬底，依次层叠在硅衬底上的氮化铝钪薄膜溅射层、第一半导体层、多量子阱发光层以及第二半导体层，氮化铝钪薄膜溅射层包括n层氮化铝钪薄膜，其中，沿硅衬底至第一半导体层的方向，n层氮...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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