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本发明提供一种模拟晶体结构两步法的强化学习绝热环境搭建方法，属于强化学习和材料合成技术领域。因为该方法针对绝热环境下利用两步法制备晶体材料的过程进行模拟，通过近似地建立晶体结构相变过程与补给能量之间的关系来搜寻晶体在实验过程中可能经历的相变...
该专利属于上海图灵智算量子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海图灵智算量子科技有限公司授权不得商用。

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