温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括衬底以及依次生长在所述衬底上的第一半导体层、发光层及第二半导体层；其中，所述发光层上通过外延制程形成有V型坑，所述V型坑自其内壁表面依次生长有Mg量子点层、Mg3N2量子点层及MgGa...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。