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本发明公开了一种有机异质结纳米线阵列及其制备方法和光电器件，该制备方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，而后对该表面进行疏水处理；借助具有第一通孔阵列的第一掩模版，通过物理气相沉积在所述表面制备金属酞菁纳米线阵列；再借助具有第二通孔阵列...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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