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本发明公开了一种具有改性纳米金字塔结构的GaN光电阴极及其制备方法。该纳米金字塔结构的GaN光电阴极结构包括：由下至上依次设置的衬底(11)、p型GaN层(12)、改性p型GaN纳米金字塔层(13)、激活层(14)。本发明在传统GaN光电阴...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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