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本发明涉及用于进行电压限制的功率半导体器件和方法以及相应装置。功率半导体器件具有半导体本体，在所述半导体本体中，在从背面开始通往与背面相对置的正面的竖直方向上，接连布置有：第一导电类型的背面的基区，第二导电类型的内部区和第一导电类型的正面的...
该专利属于英飞凌科技两极有限两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技两极有限两合公司授权不得商用。

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