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提供一种其特性的不均匀少的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的包括开口的第二绝缘体、设置在开口的内部且包括第一凹部的第三绝缘体、设置在第一凹部的内部且包括第二凹部的第一氧化物、设置在第二凹部的内部的第二氧化物、与第二氧化物...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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