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本发明公开了一种锗器件的制造方法，其包括提供一锗供体晶圆且在锗供体晶圆的锗转移层上形成第一互连层，提供一硅电路晶圆且在硅电路晶圆形成包括用于控制和读取PIN光电二极管的电路和至少一个第二互连层，进行第一互连层和第二互连层的键合以连接锗硅混合...
该专利属于浙江兴芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江兴芯半导体有限公司授权不得商用。

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