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本发明提供了一种在高阻型氧化镓衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及MOCVD设备，其中，包括MOCVD反应腔、设置在所述MOCVD反应腔内的石墨托盘，以及设置在所述石墨托盘上的高阻型氧化镓衬底，其特征在于，所述石墨托盘的上方设置有激光器，所...
该专利属于杭州富加镓业科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富加镓业科技有限公司授权不得商用。

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