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本文的实施例涉及半导体存储器器件及其形成方法。提供了一种半导体存储器器件。该半导体存储器器件包括具有第一电极、第二电极、切换层和过孔结构的存储器基元。第二电极邻近第一电极的一侧，并且切换层覆盖第一电极和第二电极的最上表面。过孔结构位于第二电...
该专利属于格芯新加坡私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯新加坡私人有限公司授权不得商用。

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