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本申请实施例提供一种相变存储器及其控制方法和制作方法,其中,所述相变存储器,包括:相变存储单元,所述相变存储单元至少包括依次堆叠设置的第一电极、第一半导体层、相变存储层、第二半导体层、第二电极;其中,在所述第一电极和第二电极接收电压时,所述...该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。
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