温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过纳米片堆叠部位于隔离层的上表面，在水平面呈H型，包括平行交替设置的多个牺牲层和多个第二纳米片层；在第二纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区、第三半导体类型区...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。