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本发明公开了一种兼具高量子效率与低本征发射度的透射式半导体光阴极及方法。本发明采用具有陷光结构的透射式光阴极，陷光结构为在透明导电基底的下表面刻蚀出具有周期性结构的凹槽阵列，降低基底对入射激光的反射，从而提高对入射激光的吸收；透明导电基底的...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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