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本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：加热机构，所述加热机构包括多个热处理单元，每个所述热处理单元均具有热处理腔，相邻两个所述热处理单元的热处理腔相互连通；转盘，至少一个籽晶设于所述转盘，所述转盘适于带动所述籽晶在多个所述热处理单元...
该专利属于江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司授权不得商用。

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