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本发明涉及一种氟硼酸铯晶体的生长方法,该方法用熔体法生长晶体,通过在氟硼酸铯原料中添加降粘剂,使得高温熔体的粘度大大降低,同时由于降粘剂在熔体法生长氟硼酸铯晶体中的分凝系数远小于1,因此通过温场调控手段使得晶体实现微凸界面生长可以将降粘剂在...该专利属于中国科学院新疆理化技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院新疆理化技术研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种氟硼酸铯晶体的生长方法,该方法用熔体法生长晶体,通过在氟硼酸铯原料中添加降粘剂,使得高温熔体的粘度大大降低,同时由于降粘剂在熔体法生长氟硼酸铯晶体中的分凝系数远小于1,因此通过温场调控手段使得晶体实现微凸界面生长可以将降粘剂在...