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本发明的实施例提供了一种半导体外延结构、半导体器件及其制备方法，涉及半导体外延技术领域，该半导体外延结构包括硅衬底、富铝硅层和AlN成核层，通过在硅衬底上形成富铝硅层，再在富铝硅层上形成成核层，其中，所述富铝硅层能够抑制所述硅衬底的表面形成...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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