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本发明公开了一种交错调制型双向阻断器件，主要解决现有器件只能单向阻断及开启电压高的问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、势垒层和钝化层，钝化层左侧设有源极；势垒层和钝化层的右侧设有凹槽阳极；钝化层和凹槽阳极的上表面设有互连金属；互连金属下方设...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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