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本发明实施例公开了一种载流子存储沟槽栅IGBT，包括集电极；设置于集电极一侧的第一导电类型集电区、第二导电类型缓冲区、第二导电类型漂移区以及第一导电类型体区；至少两个栅沟槽；第一栅沟槽包围的第一导电类型体区的表面设置有第二导电类型源区，载流...
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