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本发明提供一种外延结构及其生长方法，该外延结构从下至上依次包括复合图形化衬底、缓冲层、GaN成核层、n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层及P型GaN层，在复合图形化衬底与缓冲层之间设有预备层，预备层包括第一子层及第二子层，第一子层包括Al原...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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