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本发明公开了一种IGBT模块散热结构及其高分子复合散热材料，从上到下包括芯片层、接合层、厚铜层、绝缘导热层和散热层，所述绝缘导热层形成在所述散热层上，所述绝缘导热层由高分子复合散热材料构成，所述厚铜层真空压合技术热压形成在所述绝缘导热层上，...
该专利属于昆山聚达电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山聚达电子有限公司授权不得商用。

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