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本发明公开了一种用于GaN功率管半桥驱动中高抗扰电路，分别在高/低侧驱动电路与高/低侧GaN功率管之间设置高/低侧高抗扰电路，高/低侧高抗扰电路内均设有由正向串扰电压尖峰吸收电路和负向串扰电压尖峰吸收电路构成的串扰抑制辅助回路，正、负向串扰...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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