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本发明提供一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构，属于新型半导体激光器技术领域，包括衬底；在衬底上依次设置有MOCVD沉积缓冲层、第一分布式布拉格反射层、谐振腔、第二分布式布拉格反射层和欧姆接触层，谐振腔、所述第二分布式布拉格反射层以及所...
该专利属于福建慧芯激光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建慧芯激光科技有限公司授权不得商用。

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