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本发明公开了一种预测刻蚀开口面积及刻蚀掩膜厚度和刻蚀深度模型的方法，采用不同掩膜工艺得到不同掩膜厚度；保证刻蚀开口面积相同，采用相同刻蚀工艺刻蚀不同掩膜厚度并量测刻蚀深度；建立刻蚀掩膜厚度和刻蚀深度的模型；采用同一掩膜工艺得到同一掩膜厚度；...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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