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本发明公开了一种氧化铪基铁电薄膜的制备工艺，涉及薄膜制备和设计领域。本发明制备工艺包括以下步骤：沉积氧化铪基薄膜；对所述氧化铪基薄膜进行快速退火处理；所述快速退火处理具体为：以15
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该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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