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本发明属于二维半导体材料技术领域，提供了一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用，本发明通过采用过渡金属氧化物和碘盐作为过渡金属元素源，将硫族元素源与过渡金属元素源在保护气体的氛围下，在衬底上进行化学气相沉积反应，本发明的制备方法可...
该专利属于清华-伯克利深圳学院筹备办公室所有，仅供学习研究参考，未经过清华-伯克利深圳学院筹备办公室授权不得商用。

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