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本发明提供一种硅基氮化镓外延片及其制作方法，所述硅基氮化镓外延片包括：硅衬底、在硅衬底上依次层叠的Al层、AlN成核层、应力调变层、N型层、位错微调层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层及P型接触层；AlN成核层包括AlN三维成核层和AlN二维...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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