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本发明涉及一种GaN厚膜的生长方法，属于光电子功率器件技术领域，本发明基于AIXTRON MOCVD设备，在双抛蓝宝石基板的一面上生长一定厚度GaN材料，再在双抛蓝宝石基板的另一面上生长同样厚度的GaN材料，蓝宝石基板两侧的GaN厚度相同，...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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