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本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件，碳化硅MOSFET器件包括：外延片，包括：半导体基底；设置在基底表面的外延层；设置在外延层内的阱区、源区以及沟槽栅极；沟槽栅极包括位于外延层背离基底一侧表面内的沟槽；位于沟槽内的栅极；源区包围沟槽且与...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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