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本公开提供了一种GaN基发光二极管外延片的制备方法和外延片，属于光电子制造技术领域。该GaN基发光二极管外延片的制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上外延生长n型GaN层；在所述n型GaN层上外延生长多量子阱层；采用脉冲方式间隔性地向反应室...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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