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本发明属于电子材料技术领域，具体为一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽复合材料及其制备方法。该复合材料包括有机硅橡胶与MXene的混合基底层和超薄导电铜层；超薄导电铜层为铜纳米粒子构成的金属层。本发明采用热压成型、自催化化学镀等技术手段，制备出一种...
该专利属于中国工程物理研究院应用电子学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院应用电子学研究所授权不得商用。

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