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本发明公开了一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法，属于新材料与太阳能技术领域，包括如下步骤：(1)将表面清洁的晶体硅片放入含有处理液的容器中；(2)在20℃下反应10分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米倒金字塔结构绒面；(3...
该专利属于北京师范大学珠海校区所有，仅供学习研究参考，未经过北京师范大学珠海校区授权不得商用。

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