温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法，该生长方法是在Si衬底上生长GaN薄膜时避免了AlN或AlN/AlGaN缓冲层的生长，通过对Si衬底预处理，形成隔离Si与Ga的界面，避免Ga与Si反应产生回熔；通过调整GaN应力调控层与G...
该专利属于南昌硅基半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌硅基半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。