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本公开提供了一种提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法及外延片，属于半导体器件技术领域。在有源层上周期性生长AlGaN复合层以得到P型AlGaN层，AlGaN复合层包括依次层叠的AlGaN三维子层、AlGaN覆盖子层与AlGaN处理子层。...
该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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