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本发明涉及一种砷化镓基LED芯片透明导电层测试点的制备方法。所述制备方法包括步骤：(1)取在砷化镓衬底上生长有外延结构的晶片；(2)取设置有镂空测试点图形的遮挡膜，将遮挡膜粘附在步骤(1)中的晶片上；(3)将步骤(2)中的晶片进行透明导电层...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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