温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明为解决现有单粒子效应电路仿真方法不适用于监测任意位置、任意时刻的阱电势扰动或阱电势调制的技术问题，提供了一种单粒子效应引发阱电势调制的建模方法。具体包括以下步骤：1)确定待分析工艺对应的阱电阻表达式及参数取值；2)计算条带型阱接触布局...
该专利属于西北核技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西北核技术研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。