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本实用新型涉及用于玩具的光电晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，其特征在于，所述集电区为正方形，所述基区呈圆角正方形，位于集电区中央；基区一角有圆弧状凹陷，使其一角缺失；所述发射区沿基区缺失角走势设置，呈半圆环状，...
该专利属于傲迪特半导体（南京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过傲迪特半导体（南京）有限公司授权不得商用。

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