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一种用于事故后强γ辐射场测量的碳化硅半导体探测器制造技术
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下载一种用于事故后强γ辐射场测量的碳化硅半导体探测器的技术资料
文档序号:34305450
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本实用新型涉及核电检修技术领域,具体公开了一种用于事故后强γ辐射场测量的碳化硅半导体探测器,在密封保护外壳的内部设有PIN碳化硅探测单元,通过绝缘支撑部件对PIN碳化硅探测单元进行支撑固定;PIN碳化硅探测单元用于测量区域内辐射剂量,产生与...
该专利属于福建福清核电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过福建福清核电有限公司授权不得商用。
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