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一种磁共振电阻抗断层成像的方法，其特征在于采用斜位电流注入的方式，通过向法线方向与主磁场方向不平行的成像目标断面注入电流，利用磁共振成像的方法获得注入电流激励磁场沿主磁场方向的分量，进一步计算得到该断面阻抗分布图像。本发明可以克服电阻抗断层...
该专利属于中国科学院电工研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院电工研究所授权不得商用。

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