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全模制桥接中介层及其制造方法技术
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文档序号:34286918
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本发明涉及全模制桥接中介层及其制造方法。半导体装置可以包括桥接晶粒,所述桥接晶粒包括铜螺柱。铜立柱可以布置在桥接晶粒的外围。密封剂可以布置在桥接晶粒的五个侧面上、铜螺柱的侧面上以及铜立柱的侧面上,使得铜螺柱的端部以及铜立柱的相反的第一端和第...
该专利属于德卡科技美国公司所有,仅供学习研究参考,未经过德卡科技美国公司授权不得商用。
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