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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干初始伪栅结构，初始栅极结构包括第一伪栅层、第一掩膜层和第二伪栅层；在初始伪栅结构的侧壁和顶部表面形成侧墙材料层；在衬底上形成介质材料层；对介质材料层和侧墙材料层进行第一平坦化处理，直...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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