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本发明公开了一种MOCVD生长的隧穿结氧化孔径混合型短波长VCSEL及制备方法，涉及半导体光电子技术领域，该VCSEL芯片是以GaAs为衬底的材料体系，激射波长范围为750nm
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该专利属于福建慧芯激光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建慧芯激光科技有限公司授权不得商用。

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