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本发明公开了利用干冰对电子级多晶硅进行清洗的方法。该方法包括：在对破碎得到的多晶硅料进行筛分的过程中，以保护气或压缩空气为载气，利用干冰对所述多晶硅料进行吹扫清洗，其中：吹扫的压力为6～8公斤力，吹扫的流速为0.8～1.2m/s。由此，该方...该专利属于江苏鑫华半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鑫华半导体科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了利用干冰对电子级多晶硅进行清洗的方法。该方法包括：在对破碎得到的多晶硅料进行筛分的过程中，以保护气或压缩空气为载气，利用干冰对所述多晶硅料进行吹扫清洗，其中：吹扫的压力为6～8公斤力，吹扫的流速为0.8～1.2m/s。由此，该方...