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一种低功耗屏蔽栅半导体功率器件的测试系统技术方案
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下载一种低功耗屏蔽栅半导体功率器件的测试系统的技术资料
文档序号:34194212
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本发明公开了一种低功耗屏蔽栅半导体功率器件的测试系统,涉及电子技术领域。器件测试模块测量流经外部栅极电阻的总电荷量,计算目标SiC MOSFET器件(以下称目标器件)的栅极泄漏电流;环境测试模块采集目标器件的声发射AE信号,计算目标器件的环...
该专利属于深圳市冠禹半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市冠禹半导体有限公司授权不得商用。
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