温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种基于氮化物单晶衬底的半导体器件结构及其制备方法。所述半导体器件结构的制备方法包括：提供具有相背对的第一面和第二面的氮化物单晶衬底；在该第一面上加工形成粗化结构，该粗化结构包括多个突起或凹下的图形结构；在该粗化结构上形成第一氮...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。