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一种生长高质量异质外延单斜氧化镓晶体的方法技术
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文档序号:34172662
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本发明涉及利用化学气相沉积领的低压化学气相沉积(LPCVD)法生长高质量异质外延β
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该专利属于伊尔德兹技术转移有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过伊尔德兹技术转移有限公司授权不得商用。
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