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本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件。所述方法包括：在P型碳化硅衬底上形成碳化硅外延层，在碳化硅外延层上粘接P型硅层；对P型硅层进行刻蚀处理，形成两个延伸至碳化硅外延层的沟槽；分别沿两...
该专利属于北京智芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京智芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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